Специалисты научились контролировать экситонные эффекты в двухмерных полупроводниках, что позволило им сделать еще один шаг к разработке электроники будущего.
Международная группа ученых при участии профессора Готтхарда Сейферта, главного специалиста Национального исследовательского технологического университета «МИСиС», приблизились к созданию электроники будущего с контролируемыми характеристиками. Сделать это им удалось при помощи экситонов, эффекты которых в двухмерных проводниках они смогли координировать. Ученые установили, что при создании гетероструктуры MoS2/WSe2 путем укладки отдельных монослоев друг на друга возникает окситон нового типа, в котором электрон и дыра поделены на слои. Специалисты смогли управлять энергией этого окситона, изменяя относительное положение слоев.
Далее ученые намерены установить, как изменение относительной ориентации слоев влияет на электросвойства материалов и разработанных из них устройств.
*